PG电子最新网站入口东微半导：专注于工业级应用领域 成为高性能功率器件设计领先厂商非常感谢大家参与苏州东微半导体股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市的网上路演活动。在此，我谨代表东微半导，向参加本次活动的各位投资者朋友表示热烈的欢迎，也向一直以来支持、关心东微半导发展的各位领导和各界友人表示衷心的感谢！同时，非常感谢上证路演中心和中国证券网为我们提供这次与投资者进行网上交流沟通的机会！
东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一。基于多年的技术积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户服务能力，公司已成为国内领先的高性能功率器件设计厂商之一。
通过此次网上交流活动，我们希望能充分客观地解答各位投资者所关心的问题，让大家更加全面客观地了解东微半导。公司将持续聚焦创新型高性能功率半导体产品，致力于成为领先的功率半导体厂商，在未来创造更加优异的业绩，不负众望，回报广大投资者。谢谢大家！
非常感谢大家参与苏州东微半导体股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市的网上路演活动。在此，我谨代表保荐机构、主承销商中国国际金融股份有限公司，向参加本次活动的各位投资者朋友表示热烈的欢迎。同时，也向支持中金公司601995）保荐工作的各中介机构表示衷心的感谢！
东微半导产品的终端应用聚焦在工业级领域，同时也广泛应用于消费级领域。公司已在前述领域积累了全球知名的品牌客户群，并已成为部分行业领先客户认证的国产供应商之一。作为率先量产充电桩用高压超级结MOSFET器件的本土企业之一，降低了充电桩的整体成本，也为近几年国内充电桩的快速推广提供了大量的国产化芯片。此外，公司充分利用一流的晶圆代工资源，将自身的创新能力与代工合作伙伴的制造能力深度结合，开发出性能优异的产品，是国内在12英寸晶圆产线上较早实现功率器件量产的功率器件设计公司之一。
在筹备东微半导上市过程中，中金公司作为保荐机构，严格按照监管要求勤勉尽责地履行了相关核查程序，对东微半导进行了全面、深入的尽职调查。我们真诚地希望通过本次交流，使广大投资者能够更加深入、客观地了解东微半导，从而更充分地认识公司的投资价值，把握投资机会。我们对东微半导的未来充满信心，希望通过我们和公司的共同努力，让广大投资者能够共享企业的发展硕果。欢迎大家踊跃提问，谢谢大家！
苏州东微半导体股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市网上路演活动已临近尾声。公司此次发行上市离不开各位网友和投资者朋友的热情参与和加油助力，更离不开保荐机构、主承销商中国国际金融股份有限公司以及所有中介机构的保驾护航。
刚才的交流中，与各位就东微半导所处行业的发展现状、公司的主营业务情况及未来发展战略等方面进行了详尽的探讨和沟通，我们深刻地认识到了东微半导所肩负的责任和期望。未来，东微半导将持续专注于研发高效率、低损耗产品，充分发挥自主知识产权的技术优势，达到国际先进产品的性能，实现高端应用；深化与上下游优秀合作伙伴的合作，实现双赢，强化公司的技术优势和产能优势；探索资源整合方式，加速产品能力提升，进一步提高公司产品的竞争力以及丰富产品结构。
通过与大家的交流，我们深刻地认识到了东微半导未来所肩负的责任和使命。我们真诚希望大家在公司未来前行的道路上，继续关注、支持我们，我们将创造条件与大家保持顺畅的联系，你们的鼓励和支持，是公司持续发展的永恒动力。
李麟：公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业PG娱乐电子游戏官网，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，高压超级结和中低压功率器件产品能够应用于工业级领域。
李麟：报告期内（2018年、2019年、2020年和2021年上半年，下同），公司的主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET。公司产品的终端应用范围包括以新能源汽车直流充电桩、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。
李麟：截至2021年6月30日，公司已获授权的专利53项，包括境内专利38项，其中发明专利37项、实用新型专利1项，以及境外专利15项。
龚轶：公司持续对功率半导体产业中具有前瞻性和市场前景的方向开展技术研究，结合客户对产品的前沿需求和供应商的工艺能力，不断将取得的科技成果转化为具有高性能、高可靠性的半导体功率器件产品，并在多个细分领域处于国内领先水平。
谢长勇：公司每年第三、第四季度实现主营业务收入占比相对较高，主要系：1）公司下游的工业企业在新项目立项后一般有较长的验证周期，下游客户通常在上半年根据新项目方案制定采购计划，并导入产品进行验证，产品交付和验收多集中在下半年尤其是第四季度；2）受国庆节、中秋节、圣诞节、春节等消费需求拉动，公司下游的消费电子行业第四季度是生产销售旺季，对原材料需求相应增加。
谢长勇：报告期内，公司主营业务毛利分别为4031.71万元、2927.10万元、5512.92万元和8582.14万元，是公司毛利的主要来源。
谢长勇：报告期内，公司综合毛利率分别为26.38%、14.93%、17.85%和26.75%。公司综合毛利率波动幅度较大，主要系产品以大功率芯片为主，其成本中晶圆原材料的成本占比较高，因此晶圆代工市场短期供需关系变动对公司的影响较大。报告期内，上游晶圆代工价格出现较大波动，导致公司综合毛利率相应发生较大波动。
谢长勇：报告期内，公司研发费用分别为1603.83万元、1202.58万元、1599.36万元和1650.12万元。
吴迪：未来，公司将持续聚焦创新型高性能功率半导体产品，致力于成为领先的功率半导体厂商。公司制定的战略规划如下：1）持续专注于研发高效率、低损耗产品；2）深化与上下游优秀合作伙伴的合作，实现双赢；3）探索资源整合方式，加速产品能力提升。
吴迪：公司现有业务是公司实现战略目标的基础，而战略规划是对现有业务的延伸和拓展。公司为实现战略目标已采取的措施包括进一步优化产品结构、加强研发投入、加强人才团队建设等。报告期内，公司持续进行产品结构优化调整，同时通过强化公司与产业上下游企业的合作，不仅提升了公司产品业务的规模与占比，也促进了公司整体毛利率的提升。此外，公司充分认识到研发投入是半导体企业科技创新和长远发展的重要保障，公司高度重视研发投入，报告期内累计研发投入6055.89万元。在推动资源垂直整合方面，公司积极与优秀代工企业合作，借用外部资源支持公司产品技术研发以及产品产出。大量研发费用投入促进公司紧跟市场节奏，引领技术水平不断提升。同时，公司也建立了严格的知识产权管理体系，为公司健康发展提供有力保障。通过上述举措，公司在多个方面实现了初步的战略目标。报告期内，公司与上下游合作伙伴建立了稳定和合作关系，实现了技术水平先进的功率器件量产与研发。
龚轶：公司的竞争优势有：1）作为国内领先的高性能功率器件设计厂商，受益于行业发展机遇；2）强大的研发能力，保证公司产品性能国内领先；3）丰富的产品规格，满足不同应用场景需求；4）作为国内高性能功率器件的优质供货商之一，拥有强大的全球终端客户基础；5）稳定的供应商关系提供产能保障，在特殊工艺方面持续进行技术合作；6）经验丰富的管理团队。
龚轶：公司根据行业发展趋势和下游客户需求，围绕现有产品和技术成果，在现有产品芯片研发、结构设计、工艺优化以及新产品开发等方面不断创新，加强技术储备，从而使公司现有产品技术水平保持行业领先地位并拓展新的应用领域和产品类型。
公司持续专注于研发高性能的功率半导体产品，除已形成并广泛应用于生产经营的核心技术外，公司已在高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET及IGBT等领域形成一定的技术储备，主要包括适用于超级结MOSFET的深槽结构设计及工艺技术，与多层外延技术相比工艺难度更高，但性能更优；适用于中低压MOSFET的屏蔽栅结构设计和工艺技术，显著降低了器件导通电阻及开关损耗；IGBT产品的创新性三栅结构设计和工艺技术；以及MOSFET功率器件在12英寸晶圆制造平台上量产的设计及工艺技术。
李麟：公司所处行业属于半导体行业中的功率半导体领域。根据《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码“C39”；根据《国民经济行业分类》（GB/T 4754-2017），公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39）。
龚轶：基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力，公司已成为国内领先的高性能功率器件厂商之一。
龚轶：公司的国外主要竞争对手有：1）英飞凌；2）安森美；3）意法半导体；4）瑞萨电子；5）日本东芝。
龚轶：公司的国内主要竞争对手有：1）华润微电子；2）扬杰科技300373）；3）华微电子600360）；4）新洁能605111）；5）士兰微600460）。
李麟：本次发行前，公司股份及表决权分散，且公司任何单一股东所持表决权均未超过30%。因此，公司任何单一股东均无法控制股东大会或对股东大会决议产生决定性影响。综上所述，截至招股说明书签署日，公司不存在控股股东。
李麟：公司的实际控制人为王鹏飞及龚轶，二者为公司的共同控制人。截至本次发行前，王鹏飞直接持有公司16.0872%股份，并通过作为苏州高维的执行事务合伙人间接控制公司4.4268%股份；龚轶直接持有公司13.2791%股份，并通过作为得数聚才的执行事务合伙人间接控制公司2.8177%股份；王鹏飞和龚轶的一致行动人卢万松及王绍泽分别直接持有公司4.7226%股份、2.1768%股份。因此，王鹏飞和龚轶直接或间接控制及通过一致行动安排合计共同控制了公司43.5102%股份，系公司的实际控制人。
李麟：截至本次发行前，除公司实际控制人外，直接持有公司5%以上股份的主要股东包括：中新创投直接持有公司7.1248%股份并通过原点创投间接持有公司15.1834%股份、聚源聚芯持有公司9.9512%股份、哈勃投资持有公司6.5913%股份。此外，智禹博信、智禹淼森、智禹博弘以及智禹东微的私募基金管理人均为苏州丛蓉投资管理合伙企业（有限合伙），其合并计算后持有公司的权益为7.3389%。
李麟：公司于2018年、2019年对部分核心员工实施了三次股权激励，公司部分核心员工通过持股平台苏州高维和得数聚才间接持有公司权益。截至本次发行前，苏州高维和得数聚才分别持有公司4.4268%及2.8177%股份。除上述通过苏州高维和得数聚才对部分核心员工实施股权激励外，公司向卢万松亦实施了股权激励。公司上市前已实施的股权激励计划，除卢万松外，其他单个激励对象通过股权激励计划持有的发行前后公司股权比例不超过1%。截至招股说明书签署日，卢万松持有公司4.7226%股权，为实际控制人王鹏飞及龚轶的一致行动人。
李扬：公司本次募集资金将投资于：1）超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目；2）新结构功率器件研发及产业化项目；3）研发工程中心建设项目；4）科技与发展储备资金。
问：请介绍超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目的可行性及与公司现有主要业务、核心技术之间的关系。
曹毅程：本项目中的高压超级结MOSFET及中低压屏蔽栅MOSFET产品升级涉及的技术主要与深槽超级结及屏蔽栅MOSFET器件相关。上述技术基于公司核心技术深槽超级结MOSFET设计及其工艺技术，以及屏蔽栅结构中低压MOSFET设计及其工艺技术，与公司核心技术关系密切。
该项目实施后将陆续推出新一代高压超级结MOSFET及中低压MOSFET产品，对公司主要产品的设计及工艺技术进行改进和提升。该项目的实施旨在继续加强技术积淀，保持公司在高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET领域的优势，挖掘高可靠低成本产品的潜力，打造全系列功率半导体产品的技术创新平台，致力于成为国际领先的功率半导体厂商。本募投项目的实施不改变公司主营业务，属于公司原有业务的延展和深化。
曹毅程：本项目拟推出的新产品主要涉及Tri-gate结构IGBT器件设计及其工艺技术、Super-Silicon超级硅MOSFET设计及其工艺技术、Hybrid-FET器件及其制造技术。其中，IGBT产品是在公司原创的Tri-gate结构IGBT器件设计及其工艺技术的基础之上进一步提高开关速度性能的产品，适用于频率更高的电路场合；超级硅功率器件是公司在原创的超级硅器件技术之上进一步优化升级诞生的产品，适用于超高频率的电路场合，可实现接近GaN、SiC功率器件的效率；新一代高速大电流功率器件采用公司原创的Hybrid-FET器件技术，在大幅提高功率器件功率密度的同时，维持较高的开关速度。
本次募投项目产品技术组件依托于公司现有核心技术，是公司当前技术于前沿技术领域的进一步拓展及延伸。本项目实施后，将助力公司纵向深耕超级结功率器件领域、横向拓展丰富产品线，占据并巩固功率器件市场份额。因此，本次募投项目是对公司主营业务的延伸和拓展。
曹毅程：本项目是在公司核心技术的基础上进一步创新开发与升级拓展，有利于促进公司主营业务发展。公司主要致力于具有高技术含量的功率器件的研发，目前已积累了独特的核心技术，未来拟在SiC器件、新型硅基高压功率器件等前沿方向进行研发。研发的开展一方面是基于公司现有的超级结技术、IGBT技术，另一方面也是前瞻性布局，进行新材料、新技术的开发，有利于提升公司的技术创新能力，进一步丰富技术储备，提升公司的技术创新能力。